Малышева Технология Производства Интегральных Микросхем скачать

      Комментарии к записи Малышева Технология Производства Интегральных Микросхем скачать отключены

Уважаемый гость, на данной странице Вам доступен материал по теме: Малышева Технология Производства Интегральных Микросхем скачать. Скачивание возможно на компьютер и телефон через торрент, а также сервер загрузок по ссылке ниже. Рекомендуем также другие статьи из категории «Файлы».

Малышева Технология Производства Интегральных Микросхем скачать.rar
Закачек 1027
Средняя скорость 3831 Kb/s

Малышева Технология Производства Интегральных Микросхем скачать

Количество изображений: 6, показано 6

Похожие работы

. связью (ПЗС), на которых могут быть построены сдвиговые регистры, запоминающие устройства и некоторые логические элементы. 3. Причины ограничивающие минимальные размеры интегральных микросхем Для выбранной структуры ИМС минимальные размеры элементов ИМС в целом зависят от возможностей фотолитографического процесса, которые характеризуются тремя основными параметрами: 1) минимальным размером .

. к ТКl полупроводника. Такая сложная многоступенчатая композиция с двумя прослойками из припоя с успехом используется при сборке полупроводниковых приборов средней и большой мощностей. Дальнейшее развитие процесс пайки получил при сборке интег­ральных микросхем по технологии «перевернутого кристалла». Эта технология предусматривает предварительное создание на планарной стороне кристалла с ИМС « .

. – это законченный элемент ИМС, который можно использовать при проектировании аналоговых микросхем. 1 Общие принципы построения топологии биполярных Имс Общего подхода к проектированию биполярных интегральных микросхем нет и быть не может, каждый тип характеризуется своими особенностями в зависимости от требований и исходных данных ИМС. Исходными данными при конструировании микросхем являются: .

. выбираем длину резистора R4 равной lрасч = 0,7 мм. Т.к толстопленочная технология не может позволить изготовление резистора такой толщины, то резистор R4 будет исполнен в виде навесного элемента. Расчет резистора R12, Резистивная паста: ПР – 100 (rS= 100 Ом/; P0= 50 мВт/мм2) Принимаем для всех резисторов мощность рассеяния P=0,125 Вт. Ширина резистора прямоугольной формы должна быть не .

На исходной пластине кремния n-типа вначале термическим окислением получают маскирующий слой окисла SiO2, проводят фотолитографию и локальную диффузию для формирования n+-слоя. При второй фотолитографии в окисле создают окна для травления кремния в незащищенных окислом участках. Травлением получают канавки глубиной 8…15 мкм и шириной 50…70 мкм.

После удаления окисной маски на всю поверхность пластины из газовой фазы методом химического осаждения наносят слой окисла толщиной 3,5 мкм. На ней также осаждением из газовой фазы наращивают слой высокоомного поликристаллического кремния толщиной 200 мкм. Перед выращиванием поликремния поверхность окисла подвергается специальной обработке для облегчения образования центров кристаллизации. После наращивания слоя поликремния с противоположной стороны монокремний сошлифовывается до дна вытравленных ранее канавок. Получают области кремния n-типа со скрытыми слоями n+ — типа, изолированные друг от друга окислом . Проводят окисление рабочей поверхности и фотолитографию для вскрытия окон под базовую диффузию. Происходит формирование базового слоя. Проводят фотолитографию для вскрытия окон под эмиттерную диффузию. Формируют эмиттерный слой и проводят фотолитографию для вскрытия контактных окон. Производят напыление пленки алюминия фотолитографию для создания рисунка разводки и наносят слой пассивации.

В данной работе были произведён конструкторский расчет полупроводниковой интегральной микросхемы, выбран способ изоляции элементов, способ герметизации и тип корпуса, произведен расчет характеристик транзистора и геометрических размеров интегральных резисторов, произведен проверочный расчет теплового режима.

Результатом данной работы является комплект конструкторской документации:

-чертеж схемы электрической принципиальной;

Разработка конструкции и технологии изготовления полупроводниковой микросхемы выполненной в интегральном исполнении. Обоснование выбора технологии изготовления микросхемы, на основании которого разработан технологический процесс, топология кристалла.

Отправить свою хорошую работу в базу знаний просто. Используйте форму, расположенную ниже

Студенты, аспиранты, молодые ученые, использующие базу знаний в своей учебе и работе, будут вам очень благодарны.

4. А.А. Бокунян, Н.М. Борисов, Р.Г. Варламов и др., “Справочная книга радиолюбителя — конструктора ”.; Под ред. Н.И. Чистякова. — М.: Радио и связь, 1990. — 624 с.: ил. — (Массовая радиобиблиотека; Вып. 1147)

5. В.В. Пасынков, В.С. Сорокин “Материалы электронной техники”. — 2 — е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. Шк., 1986. — 367 с., ил.

6. Капельян С.Н., Малашонок В.А. Физика. Пособие для подготовки к централизованному тестированию.

7. Бондарь Б.Г. “Основы микроэлектроники”. К.: Вища шк. Головное изд-во, 1987. — 309с.

8. Р.А. Бейлина, С.А. Тарасов, Т.В. Молодечкина Методические указания по курсовому проектированию по дисциплине “Конструирование и технология микросхем и микропроцессоров” для студентов специальности Т.08.01.00

9. Малышева И.А. Технология изготовления интегральных микросхем. Учебник для вузов.Москва “Радио и связь”1991.-344 с

10. Березин А.С. Мочалкина О.Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. Учебное пособие для высших учебных заведений. Москва.1992.

11. Коледов Л.А., Волков В.А., Докучаев Н.И., Ильина Э.М., Патрик Н.И. “Конструирование и технология микросхем”.

12. Типовые компоненты и датчики контрольно — диагностических свойств: Учебно — методический комплекс для студентов специальности Т — 39.02.01. (Сост. Д.А. Довгяло — Новополоцк ПГУ, 2004 -384 с.).

13. Проектирование конструкций радиоэлектронной аппаратуры: Учеб. пособие для вузов/ Е.М.Парфенов, Э.Н. Камышняя, В.П. Усачев. — Радио и связь, 1989. — 272 с.: ил.


Статьи по теме